在全球半导体制造业中，光刻机作为制程关键设备，其技术进步对整个产业的发展具有决定性作用。随着芯片尺寸不断缩小，从100纳米到7纳米，这一过程对于任何国家来说都是一次艰巨的挑战，而中国则在这一过程中展现出了快速发展和不懈追求的姿态。
首先，我们需要了解什么是“纳米”？纳米是一个非常微小的单位，它代表的是1亿分之一毫米，即10^-9 米。在现代电子工业中，尤其是在芯片制造领域，能够精确控制几十个奈特（即一个奈特等于1兆分之一毫米）的尺度，对于生产出性能更高、能耗更低、高密度集成电路至关重要。
20世纪90年代末期，当时国际上主要使用的是0.35微米制程规格，那时候还没有进入真正意义上的深紫外线（DUV）时代。而到了21世纪初期，大多数厂商已经逐渐开始采用130/90/65/45纳米等不同尺寸的制程规格。然而，在这个期间，由于成本问题和市场需求变化，一些大型厂商并未完全实现每代产品均有显著提升的情况，而是采取了“跳跃式”发展策略，比如直接从130转向65。
随着时间推移，不断提高光刻精度成了行业内的一项迫切任务。在2000年后，全球范围内引入了Extreme Ultraviolet Lithography（EUVL）技术。这一新技术将波长从原来的365nm降低到13.5nm，使得进一步缩减晶体管大小成为可能，并且由于其独有的物理特性，如增强透镜效应和非平面波束，可以极大地提高产量。此时欧美地区的大型芯片制造企业如TSMC、Samsung以及Intel等，都已经在EUVL方面投入大量资源进行研发与应用试验。
而中国作为新兴力量，在此期间也迅速崛起。通过政府支持下的科研投入，以及企业间合作与竞争，加之国内外资本市场对新兴产业增长潜力的信心投射，无疑为国产光刻机行业带来了前所未有的动力。在2010年左右，大批新的国产深紫外线（DUV）及部分早期版本的EUVL设备相继问世，并被广泛部署至国内主流工艺节点，如40nm、28nm甚至更小规模节点的事例频繁出现。
不过要达到国际领先水平，还有很多困难待克服，比如如何保证设备稳定性和可靠性；如何降低整体成本以适应市场经济压力；如何提升用户满意度以建立品牌影响力；这些都是当前面临的问题。但值得注意的是，与此同时，国内一些公司也正在积极探索下一代激光器设计，以实现更大的波段扩展，同时保持或超越目前国际同行水平，这一点对于未来是否能够突破10纳米制程提出了期待。
综上所述，从100纳미到7ナミ，是一条充满挑战但又充满希望的人类智慧与科技创新的道路。虽然我们现在无法准确指出中国光刻机现在多少納美，但可以看到，无论是在政策支持还是在实际应用上，都显示出了一种坚定的决心，也预示着未来可能会迎来更加令人瞩目的转变。而这正是科学研究与创新精神最宝贵的地方——它让我们不仅能够回答今天的问题，更能开启明天世界的大门。
