Sony 又秀出外星科技把 DRAM 内存夹入 CMOS 以后手机可拍摄 1000fps 超慢动作效

之所以能达到如此高的帧率，秘诀就在 Sony 改进了感光元件的制程，在基于“堆叠式” CMOS 的双层结构上做出了改进。而据我们所知，堆叠式感光元件的两层结构由成像区域（Pixel Section）与处理回路（Circuit Section）构成，特点是像素区域为背照式（BSI）结构，其特性是具有背照式的优点，并加强处理回路使之兼容高速录影的能力。

而 Sony 所做的，就是在这两层结构之中加入了 DRAM 内存，使感光元件拥有自己的暂存区，让这块 DRAM 单独处理所有录制进来的影像数据，进而达到短时间内处理大量资料的性能。这让这块 CMOS 仅需要 1/120 秒的时间即可输出 19.3 MP 的影像，并且大幅改善高速快门下所产生的果冻效应。

目前 Sony 仅释出此感光元件的技术与范例影片，仍未知是否会有手机品牌采用，单从影片看来其 Full HD 画质很明显比起 RX10 Mark II 与 RX100 Mark IV 要好得多，未来就看这项外星科技会搭载在哪台新手机上了。

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