UFS 3.0设计规范可让单通道资料传输带宽可达11.6Gbps，配合UFS支援双通道、双向读写特性，因此资料传输带宽最高可达23.2Gbps，对应每秒传递2.9GB资料量效果，对于存取资料越来越庞大，同时反应速度必须更快的智能手机发展，将有更好使用优势。
固态技术协会 (JEDEC)稍早公布UFS 3.0版本标准JESD220D与JESD223D，另外也公布UFS记忆卡1.1版本标准JESD220-2A，其中UFS 3.0将采用HS-G4设计规范，可让单通道资料传输带宽可达11.6Gbps，亦即为UFS 2.1采用HS-G3设计规范的传输带宽2倍左右。而三星稍早已经透露将在今年第一季内推出首款采用UFS 3.0储存元件的产品，因此将可能应用在即将推出的Galaxy S9系列机种。
三星在推出Galaxy S6系列时宣布导入存取速度更快的UFS 2.1储存元件，因此在Galaxy S9系列采用传输效率更高的UFS 3.0储存元件似乎不算意外。但无论是Qualcomm Snapdragon 845，或是三星Exynos 9810的说明并未特别提及是否支援UFS 3.0，因此不确定若Galaxy S9系列支援此规范设计的储存元件，是否借由额外控制元件管理资料存放，或是直接透过处理器管理。
由于UFS 3.0设计规范可让单通道资料传输带宽可达11.6Gbps，配合UFS支援双通道、双向读写特性，因此资料传输带宽最高可达23.2Gbps，对应每秒传递2.9GB资料量效果，对于存取资料越来越庞大，同时反应速度必须更快的智能手机发展，将有更好使用优势。
另外，UFS 3.0规范也让资料错误校正效率提升，以2.5v电压即可驱动，同时也支援新版NAND Flash设计，支援在摄氏零下40度至105度的极端温度环境下正常使用，因此可应用在自动驾驶车辆或深度学习等进阶需求。至于接脚部分则支援MIPI规范，其中接脚采MIPI M-PHY v4.1规范设计，而资料传输则依据MIPI UniProSM v1.8设计。
而UFS记忆卡1.1版本设计则加入相容HS-G1、HS-G2与HS-G3设计规范，而整体资料存取速度最高可达每秒1.5GB。
